Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPN60R360P7SATMA1

IPN60R360P7SATMA1

Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
Код товару: 133578
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPN60R360P7SATMA1 за ціною від 25.46 грн до 98.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn60r360p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.63 грн
6000+80.84 грн
12000+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn60r360p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.83 грн
6000+88.95 грн
12000+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.10 грн
10+59.65 грн
50+44.45 грн
100+37.09 грн
500+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN60R360P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150 Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+25.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 infineon-ipn60r360p7s-ds-v02_01-en.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+81.63 грн
6000+80.84 грн
12000+80.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 infineon-ipn60r360p7s-ds-v02_01-en.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+89.83 грн
6000+88.95 грн
12000+88.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V
на замовлення 3449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.10 грн
10+59.65 грн
50+44.45 грн
100+37.09 грн
500+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon_IPN60R360P7S_DS_v02_01_EN.pdf
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360P7SATMA1 Infineon-IPN60R360P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf3d550b26150
IPN60R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.