Інші пропозиції IPN60R360P7SATMA1 за ціною від 17.65 грн до 96.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 140µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 400 V |
на замовлення 6877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 7524 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPN60R360P7SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 26A |
товару немає в наявності |