Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN60R360PFD7SATMA1
IPN60R360PFD7SATMA1

IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPN60R360PFD7SATMA1 за ціною від 29.98 грн до 137.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759 Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.07 грн
10+66.93 грн
100+44.61 грн
500+32.88 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+118.47 грн
123+115.06 грн
150+94.04 грн
250+88.94 грн
500+66.29 грн
1000+51.54 грн
3000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf 600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.30 грн
10+118.47 грн
25+115.06 грн
100+90.69 грн
250+82.35 грн
500+63.64 грн
1000+51.54 грн
3000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759 Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN60R360PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759 Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
IPN60R360PFD7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 534 pF @ 400 V
на замовлення 5635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+110.07 грн
10+66.93 грн
100+44.61 грн
500+32.88 грн
1000+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 infineon-ipn60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPN60R360PFD7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
119+118.47 грн
123+115.06 грн
150+94.04 грн
250+88.94 грн
500+66.29 грн
1000+51.54 грн
3000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 infineon-ipn60r360pfd7s-datasheet-v02_00-en.pdf
IPN60R360PFD7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+137.30 грн
10+118.47 грн
25+115.06 грн
100+90.69 грн
250+82.35 грн
500+63.64 грн
1000+51.54 грн
3000+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
IPN60R360PFD7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon_IPN60R360PFD7S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPN60R360PFD7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R360PFD7SATMA1 Infineon-IPN60R360PFD7S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4626df6ee62016e228292226759
IPN60R360PFD7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R360PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.303 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.303ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 7902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.