Продукція > INFINEON > IPN60R3K4CEATMA1
IPN60R3K4CEATMA1

IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON


Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4703 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.49 грн
500+15.44 грн
1500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS CE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPN60R3K4CEATMA1 за ціною від 9.83 грн до 50.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN60R3K4CE_DS_v02_00_EN-1731815.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 16282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.04 грн
11+32.66 грн
100+19.74 грн
500+15.41 грн
1000+12.55 грн
3000+10.57 грн
9000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6834infineon-ipn60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
279+43.66 грн
Мінімальне замовлення: 279
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.63 грн
11+30.20 грн
100+20.08 грн
500+14.23 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Description: INFINEON - IPN60R3K4CEATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.6 A, 3.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+50.30 грн
50+32.44 грн
100+21.49 грн
500+15.44 грн
1500+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1
Код товару: 143229
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6834infineon-ipn60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6834infineon-ipn60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 6834infineon-ipn60r3k4ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.