IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 43.35 грн |
| 14+ | 30.36 грн |
| 20+ | 26.59 грн |
| 50+ | 21.80 грн |
| 100+ | 18.79 грн |
| 500+ | 15.93 грн |
| 1000+ | 15.35 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
11 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD, Case: PG-SOT223, Mounting: SMD, Power dissipation: 7W, Gate charge: 9nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.6Ω.
Інші пропозиції IPN60R600P7SATMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN60R600P7S | Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IPN60R600P7S |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
MOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.