Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN60R600P7SATMA1
IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPN60R600P7S.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Power dissipation: 7W
Gate charge: 9nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: CoolMOS™ P7
Drain current: 4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+42.95 грн
14+30.08 грн
20+26.34 грн
50+21.61 грн
100+18.61 грн
500+15.79 грн
1000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R600P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; 7W; PG-SOT223; ESD, Case: PG-SOT223, Mounting: SMD, Power dissipation: 7W, Gate charge: 9nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: CoolMOS™ P7, Drain current: 4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.6Ω.

Інші пропозиції IPN60R600P7SATMA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN60R600P7S IPN60R600P7S Infineon Technologies Infineon_IPN60R600P7S_DS_v02_01_EN-3362469.pdf MOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7S Infineon_IPN60R600P7S_DS_v02_01_EN-3362469.pdf
IPN60R600P7S
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.