Продукція > INFINEON > IPN60R600P7SATMA1
IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1 Infineon

TIPN60r600p7s_0001.pdf
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R600P7SATMA1 Infineon

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPN60R600P7SATMA1 за ціною від 15.37 грн до 95.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.36 грн
100+29.75 грн
500+21.60 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN60R600P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.05 грн
10+47.42 грн
100+27.07 грн
500+21.22 грн
1000+19.24 грн
3000+16.21 грн
6000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
50+58.79 грн
100+38.73 грн
500+28.25 грн
1500+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
IPN60R600P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.33 грн
10+45.36 грн
100+29.75 грн
500+21.60 грн
1000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 Infineon_IPN60R600P7S_DS_v02_01_EN.pdf
IPN60R600P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+77.05 грн
10+47.42 грн
100+27.07 грн
500+21.22 грн
1000+19.24 грн
3000+16.21 грн
6000+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8
IPN60R600P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.39 грн
50+58.79 грн
100+38.73 грн
500+28.25 грн
1500+22.91 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.