IPN60R600P7SATMA1

IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies


infineon-ipn60r600p7s-ds-v02_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN60R600P7SATMA1 за ціною від 18.76 грн до 77.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Виробник : INFINEON 2718778.pdf Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.73 грн
500+24.22 грн
1500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Виробник : INFINEON 2718778.pdf Description: INFINEON - IPN60R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.45 грн
50+46.63 грн
100+36.73 грн
500+24.22 грн
1500+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn60r600p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
204+60.05 грн
239+51.13 грн
279+43.77 грн
295+40.00 грн
500+34.72 грн
1000+31.29 грн
3000+28.71 грн
6000+27.47 грн
Мінімальне замовлення: 204
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN60R600P7S_DS_v02_01_EN-3362469.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.23 грн
10+51.27 грн
100+32.15 грн
500+25.75 грн
1000+22.88 грн
3000+20.23 грн
6000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
на замовлення 2706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.19 грн
10+50.50 грн
100+33.83 грн
500+25.56 грн
1000+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7S TIPN60r600p7s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+39.01 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn60r600p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn60r600p7s-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 IPN60R600P7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R600P7SATMA1 IPN60R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN60R600P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439eb6361b8 Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.