IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: CONSUMER PG-SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 22.8 грн |
| 6000+ | 20.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN60R600PFD7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції IPN60R600PFD7SATMA1 за ціною від 19.99 грн до 69.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN60R600PFD7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 7 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN60R600PFD7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN60R600PFD7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: CONSUMER PG-SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 80µA Supplier Device Package: PG-SOT223-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 344 pF @ 400 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN60R600PFD7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN60R600PFD7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.517 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 7 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: CoolMOS PFD7 SJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.517 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.517 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN60R600PFD7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
600V CoolMOS PFD7 SJ Power Device |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IPN60R600PFD7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
600V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in SOT-223 package |
товар відсутній |