Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN65R1K5CEATMA1
IPN65R1K5CEATMA1

IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

6820infineon-ipn65r1k5ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d46253f6505701547a.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 650V 5.2A 3-Pin SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPN65R1K5CEATMA1 за ціною від 16.59 грн до 53.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN65R1K5CEATMA1 IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN65R1K5CE_DS_v02_00_EN-1227070.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.34 грн
10+46.67 грн
100+27.74 грн
500+23.12 грн
1000+19.67 грн
3000+17.83 грн
6000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IPN65R1K5CEATMA1 - IPN65R1K5 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEATMA1 IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50 Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN65R1K5CEATMA1 IPN65R1K5CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN65R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af6617b5b50 Description: MOSFET N-CH 650V 5.2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.