IPN70R1K0CEATMA1

IPN70R1K0CEATMA1 Infineon Technologies


2859infineon-ipn70r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462580663ef015825.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R1K0CEATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V.

Інші пропозиції IPN70R1K0CEATMA1 за ціною від 18.09 грн до 18.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN70R1K0CEATMA1 IPN70R1K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2859infineon-ipn70r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462580663ef015825.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 IPN70R1K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2859infineon-ipn70r1k0ce-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462580663ef015825.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN70R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef015825731b81712d IPN70R1K0CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K0CEATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K0CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462580663ef015825731b81712d Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.