IPN70R1K0CEATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN70R1K0CEATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V.
Інші пропозиції IPN70R1K0CEATMA1 за ціною від 17.3 грн до 17.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN70R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
IPN70R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 7.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
IPN70R1K0CEATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.7A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 15.2nC Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
| IPN70R1K0CEATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V |
товар відсутній |
||||||
|
|
IPN70R1K0CEATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 5W; PG-SOT223 Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 700V Drain current: 4.7A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 15.2nC Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |