Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R1K2P7SATMA1
IPN70R1K2P7SATMA1

IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies

2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPN70R1K2P7SATMA1 за ціною від 14.92 грн до 68.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+28.20 грн
587+23.95 грн
599+23.48 грн
648+20.94 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.15 грн
27+28.20 грн
100+23.09 грн
250+20.96 грн
500+18.61 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K2P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f524b972d6b74 Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.34 грн
10+35.28 грн
100+24.42 грн
500+19.15 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.14 грн
248+56.66 грн
295+47.77 грн
321+42.22 грн
500+36.69 грн
1000+27.60 грн
2000+26.29 грн
3000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN70R1K2P7S_DS_v02_01_EN-3362637.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
499+28.20 грн
587+23.95 грн
599+23.48 грн
648+20.94 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.15 грн
27+28.20 грн
100+23.09 грн
250+20.96 грн
500+18.61 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K2P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f524b972d6b74
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.34 грн
10+35.28 грн
100+24.42 грн
500+19.15 грн
1000+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+68.14 грн
248+56.66 грн
295+47.77 грн
321+42.22 грн
500+36.69 грн
1000+27.60 грн
2000+26.29 грн
3000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon_IPN70R1K2P7S_DS_v02_01_EN-3362637.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.