Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R1K2P7SATMA1
IPN70R1K2P7SATMA1

IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies

2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6.3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IPN70R1K2P7SATMA1 за ціною від 14.11 грн до 69.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
499+28.58 грн
587+24.27 грн
599+23.80 грн
648+21.22 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.55 грн
27+28.58 грн
100+23.40 грн
250+21.25 грн
500+18.86 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN70R1K2P7S_DS_v02_01_EN-3362637.pdf MOSFET CONSUMER
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
8+42.06 грн
10+36.16 грн
100+22.31 грн
500+18.94 грн
1000+15.14 грн
3000+14.99 грн
6000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K2P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f524b972d6b74 Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.42 грн
10+35.36 грн
100+24.47 грн
500+19.19 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+69.05 грн
248+57.43 грн
295+48.41 грн
321+42.79 грн
500+37.19 грн
1000+27.97 грн
2000+26.65 грн
3000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 IPN70R1K2P7SATMA1 INFINEON 2849749.pdf Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
499+28.58 грн
587+24.27 грн
599+23.80 грн
648+21.22 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 499 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+30.55 грн
27+28.58 грн
100+23.40 грн
250+21.25 грн
500+18.86 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon_IPN70R1K2P7S_DS_v02_01_EN-3362637.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET CONSUMER
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.06 грн
10+36.16 грн
100+22.31 грн
500+18.94 грн
1000+15.14 грн
3000+14.99 грн
6000+14.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon-IPN70R1K2P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f524b972d6b74
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 174 pF @ 400 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.42 грн
10+35.36 грн
100+24.47 грн
500+19.19 грн
1000+16.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2343000001620419infineon-ipn70r1k2p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+69.05 грн
248+57.43 грн
295+48.41 грн
321+42.79 грн
500+37.19 грн
1000+27.97 грн
2000+26.65 грн
3000+25.12 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K2P7SATMA1 2849749.pdf
IPN70R1K2P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R1K2P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 4.5 A, 0.98 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.3W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.98ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.98ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.