IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 10.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPN70R2K0P7SATMA1 за ціною від 10.58 грн до 57.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 3127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 16730 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V |
на замовлення 16358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPN70R2K0P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |