IPN70R2K0P7SATMA1

IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies


2371829641504398infineon-ipn70r2k0p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN70R2K0P7SATMA1 за ціною від 10.91 грн до 59.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2371829641504398infineon-ipn70r2k0p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2371829641504398infineon-ipn70r2k0p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.80 грн
6000+12.56 грн
9000+11.83 грн
15000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : INFINEON 2820333.pdf Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.65 грн
500+17.30 грн
1500+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2371829641504398infineon-ipn70r2k0p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
506+24.33 грн
507+24.25 грн
661+18.60 грн
1000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 506
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : INFINEON 2820333.pdf Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 1.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+47.12 грн
50+34.70 грн
100+23.65 грн
500+17.30 грн
1500+14.51 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN70R2K0P7S_DS_v02_01_EN-3362943.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 16730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.03 грн
10+35.31 грн
100+21.53 грн
500+18.58 грн
1000+15.16 грн
3000+12.44 грн
9000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 16358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.05 грн
10+35.23 грн
100+23.81 грн
500+17.48 грн
1000+15.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2371829641504398infineon-ipn70r2k0p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2371829641504398infineon-ipn70r2k0p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 3A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.