Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R2K0P7SATMA1
IPN70R2K0P7SATMA1

IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+12.39 грн
6000+10.94 грн
9000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPN70R2K0P7SATMA1 за ціною від 10.85 грн до 68.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.71 грн
500+19.70 грн
1500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.92 грн
10+32.30 грн
100+20.85 грн
500+14.93 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN70R2K0P7S_DS_v02_01_EN-3362943.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 16730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.94 грн
10+32.83 грн
100+20.02 грн
500+17.27 грн
1000+14.10 грн
3000+11.56 грн
9000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76 Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.74 грн
50+42.84 грн
100+27.71 грн
500+19.70 грн
1500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+27.71 грн
500+19.70 грн
1500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 14553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+53.92 грн
10+32.30 грн
100+20.85 грн
500+14.93 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon_IPN70R2K0P7S_DS_v02_01_EN-3362943.pdf
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 16730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+53.94 грн
10+32.83 грн
100+20.02 грн
500+17.27 грн
1000+14.10 грн
3000+11.56 грн
9000+10.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
IPN70R2K0P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R2K0P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 3 A, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+68.74 грн
50+42.84 грн
100+27.71 грн
500+19.70 грн
1500+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon-IPN70R2K0P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526712fe6b76
Виробник: Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.