Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R360P7S

IPN70R360P7S Infineon Technologies

Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPN70R360P7S Infineon Technologies

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: CoolMOS™ P7, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 7.5A, Power dissipation: 7.2W, Case: PG-SOT223, Gate-source voltage: ±16V, On-state resistance: 0.36Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16.4nC, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

Інші пропозиції IPN70R360P7S

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	IPN70R360P7SATMA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 7.2W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhancement Version: ESD	товару немає в наявності Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.

IPN70R360P7SATMA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.