Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R360P7SATMA1
IPN70R360P7SATMA1

IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 7.2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Інші пропозиції IPN70R360P7SATMA1 за ціною від 27.10 грн до 114.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 50355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
806+43.80 грн
1000+40.40 грн
10000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+49.32 грн
18+42.17 грн
28+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.79 грн
11+71.51 грн
100+51.01 грн
500+40.03 грн
1000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+105.79 грн
198+71.51 грн
277+51.01 грн
500+40.03 грн
1000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.47 грн
10+69.61 грн
50+51.97 грн
100+43.40 грн
500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON 2718780.pdf Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 INFINEON 2718780.pdf Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 50355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
806+43.80 грн
1000+40.40 грн
10000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 806 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+49.32 грн
18+42.17 грн
28+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+105.79 грн
11+71.51 грн
100+51.01 грн
500+40.03 грн
1000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+105.79 грн
198+71.51 грн
277+51.01 грн
500+40.03 грн
1000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.47 грн
10+69.61 грн
50+51.97 грн
100+43.40 грн
500+33.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 2718780.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 2718780.pdf
IPN70R360P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 7.2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 3397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.