Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R360P7SATMA1
IPN70R360P7SATMA1

IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies

2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN70R360P7SATMA1 за ціною від 24.79 грн до 78.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.24 грн
500+31.82 грн
1000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
201+60.47 грн
203+59.86 грн
256+47.33 грн
259+45.18 грн
500+34.18 грн
1000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 201
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : INFINEON 2718780.pdf Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+74.48 грн
50+51.15 грн
100+37.49 грн
500+34.03 грн
1500+28.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.70 грн
10+50.65 грн
100+36.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+78.72 грн
11+64.79 грн
25+64.14 грн
100+48.90 грн
250+44.82 грн
500+35.15 грн
1000+28.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2366278736346413infineon-ipn70r360p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA4AC57BCA0143&compId=IPN70R360P7S.pdf?ci_sign=5821d17ce2d7c8fad36de387f6604f90da9e4af3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf439d6ad61b3 Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R360P7S-DS-v02_02-EN.pdf MOSFETs CONSUMER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R360P7SATMA1 IPN70R360P7SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBA4AC57BCA0143&compId=IPN70R360P7S.pdf?ci_sign=5821d17ce2d7c8fad36de387f6604f90da9e4af3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 7.2W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.4nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.