IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 38.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPN70R360P7SATMA1 за ціною від 20.86 грн до 118.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 153 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R360P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 12.5 A, 0.36 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 12.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 517 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPN70R360P7SATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 7.2W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 7.5A Power dissipation: 7.2W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.4nC Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |