Продукція > INFINEON > IPN70R450P7SATMA1
IPN70R450P7SATMA1

IPN70R450P7SATMA1 INFINEON

Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+31.49 грн
500+24.82 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R450P7SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPN70R450P7SATMA1 за ціною від 20.93 грн до 120.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.67 грн
10+49.25 грн
100+32.41 грн
500+23.64 грн
1000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.39 грн
21+40.21 грн
100+31.49 грн
500+24.82 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN70R450P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+120.06 грн
10+72.46 грн
100+41.87 грн
500+32.92 грн
1000+28.12 грн
3000+25.44 грн
6000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+81.67 грн
10+49.25 грн
100+32.41 грн
500+23.64 грн
1000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+95.39 грн
21+40.21 грн
100+31.49 грн
500+24.82 грн
1000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon_IPN70R450P7S_DS_v02_01_EN.pdf
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+120.06 грн
10+72.46 грн
100+41.87 грн
500+32.92 грн
1000+28.12 грн
3000+25.44 грн
6000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
Виробник: Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.