Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN70R450P7SATMA1
IPN70R450P7SATMA1

IPN70R450P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 700V; 10A; Idm: 10A; 7.1W; SOT223
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 7.1W
Gate charge: 13.1nC
Polarisation: N
Drain current: 10A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 700V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 16V
Case: SOT223
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: SMD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R450P7SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPN70R450P7SATMA1 за ціною від 20.83 грн до 90.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies 2365521745670626infineon-ipn70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+47.97 грн
346+40.70 грн
360+37.70 грн
500+32.89 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies 2365521745670626infineon-ipn70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.64 грн
16+48.05 грн
25+47.97 грн
100+39.25 грн
250+34.91 грн
500+31.57 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.28 грн
10+47.81 грн
100+31.46 грн
500+22.95 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies 2365521745670626infineon-ipn70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+90.88 грн
182+77.38 грн
212+66.27 грн
224+60.57 грн
500+52.46 грн
1000+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN70R450P7S_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 IPN70R450P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78 Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 2365521745670626infineon-ipn70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
293+47.97 грн
346+40.70 грн
360+37.70 грн
500+32.89 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 2365521745670626infineon-ipn70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.64 грн
16+48.05 грн
25+47.97 грн
100+39.25 грн
250+34.91 грн
500+31.57 грн
1000+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.28 грн
10+47.81 грн
100+31.46 грн
500+22.95 грн
1000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 2365521745670626infineon-ipn70r450p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f5.pdf
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
155+90.88 грн
182+77.38 грн
212+66.27 грн
224+60.57 грн
500+52.46 грн
1000+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon_IPN70R450P7S_DS_v02_01_EN.pdf
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
IPN70R450P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R450P7SATMA1 Infineon-IPN70R450P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f526728366b78
Виробник: Infineon
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.