IPN70R450P7SATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 36.79 грн |
| 500+ | 30.16 грн |
| 1000+ | 23.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN70R450P7SATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.37ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPN70R450P7SATMA1 за ціною від 23.06 грн до 92.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET CONSUMER |
на замовлення 638 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN70R450P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 10 A, 0.37 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V |
на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 10A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPN70R450P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 10A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 120µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 424 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |