Продукція > INFINEON > IPN70R600P7SATMA1
IPN70R600P7SATMA1

IPN70R600P7SATMA1 INFINEON

Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+40.29 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R600P7SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPN70R600P7SATMA1 за ціною від 15.72 грн до 97.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN70R600P7S_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.65 грн
10+47.09 грн
100+27.91 грн
500+21.64 грн
1000+19.59 грн
3000+16.70 грн
6000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.91 грн
10+46.27 грн
100+30.35 грн
500+22.05 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 INFINEON Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.85 грн
50+61.34 грн
100+40.29 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon_IPN70R600P7S_DS_v02_02_EN.pdf
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.65 грн
10+47.09 грн
100+27.91 грн
500+21.64 грн
1000+19.59 грн
3000+16.70 грн
6000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT223
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+76.91 грн
10+46.27 грн
100+30.35 грн
500+22.05 грн
1000+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc
IPN70R600P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.85 грн
50+61.34 грн
100+40.29 грн
500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.