Продукція > INFINEON > IPN70R600P7SATMA1
IPN70R600P7SATMA1

IPN70R600P7SATMA1 INFINEON


Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1585 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.79 грн
500+25.78 грн
1000+21.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN70R600P7SATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.49 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.9W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.49ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN70R600P7SATMA1 за ціною від 17.78 грн до 77.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Виробник : INFINEON 2718781.pdf Description: INFINEON - IPN70R600P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 8.5 A, 0.6 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+73.39 грн
50+51.81 грн
100+37.16 грн
500+26.33 грн
1500+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN70R600P7S_DS_v02_02_EN-1731906.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 3578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.69 грн
10+53.28 грн
25+44.37 грн
100+34.33 грн
500+24.75 грн
1000+22.41 грн
3000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.55 грн
10+47.56 грн
100+33.12 грн
500+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2468419816009764infineon-ipn70r600p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2468419816009764infineon-ipn70r600p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2468419816009764infineon-ipn70r600p7s-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf.pdf Trans MOSFET N-CH 700V 8.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R600P7SATMA1 IPN70R600P7SATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN70R600P7S-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf442fdaa61bc Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 364 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.