Інші пропозиції IPN70R750P7SATMA1 за ціною від 14.33 грн до 68.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 6.7W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.7W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs CONSUMER |
на замовлення 8014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 700V 6.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPN70R750P7SATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |