Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPN70R750P7SATMA1

IPN70R750P7SATMA1

infineon-ipn70r750p7s-ds-en.pdf
Код товару: 193676
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPN70R750P7SATMA1 за ціною від 14.52 грн до 68.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 INFINEON INFN-S-A0004584008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.10 грн
500+20.85 грн
1500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN70R750P7S_DS_v02_01_EN-3362646.pdf MOSFETs CONSUMER
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.31 грн
10+40.45 грн
100+24.11 грн
500+21.14 грн
1000+19.10 грн
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn70r750p7s-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 INFN-S-A0004584008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPN70R750P7SATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN70R750P7SATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 700 V, 6.5 A, 0.75 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 6.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.62ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+30.10 грн
500+20.85 грн
1500+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 Infineon_IPN70R750P7S_DS_v02_01_EN-3362646.pdf
IPN70R750P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs CONSUMER
на замовлення 8014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+45.31 грн
10+40.45 грн
100+24.11 грн
500+21.14 грн
1000+19.10 грн
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R750P7SATMA1 infineon-ipn70r750p7s-ds-en.pdf
IPN70R750P7SATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 400 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.