Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPN80R1K2P7

IPN80R1K2P7

Код товару: 144481
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPN80R1K2P7 за ціною від 22.29 грн до 113.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.29 грн
500+28.95 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
714+48.69 грн
1000+44.91 грн
10000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 714
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
714+48.69 грн
1000+44.91 грн
Мінімальне замовлення: 714
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.42 грн
14+58.88 грн
100+43.29 грн
500+28.95 грн
1000+24.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.53 грн
10+61.38 грн
100+35.37 грн
500+27.62 грн
1000+25.20 грн
3000+22.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.25 грн
10+65.70 грн
100+43.68 грн
500+32.11 грн
1000+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+113.91 грн
179+77.79 грн
203+68.44 грн
500+55.01 грн
1000+50.03 грн
3000+37.63 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7 IPN80R1K2P7 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11nC
On-state resistance: 1.2Ω
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
Код товару: 212073
Додати до обраних Обраний товар
POGO_PIN_smd.png
Контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
+1
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: POGO SMD це пружинний контактор для надійних тимчасових або роз’ємних з’єднаннь. Висота від друкованої плати: максимальна 5мм. Висота рухомого контакта: 1,5мм.
Штирі або гнізда: Штирі POGO SMD
К-сть контактів: 1
у наявності: 374 шт
344 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010CEH.115
Код товару: 160308
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.