Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPN80R1K2P7

IPN80R1K2P7

Код товару: 144481
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPN80R1K2P7 за ціною від 28.91 грн до 115.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
714+49.25 грн
1000+45.42 грн
10000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 714 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
714+49.25 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 714 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.99 грн
10+64.93 грн
100+43.18 грн
500+31.74 грн
1000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+115.20 грн
179+78.67 грн
203+69.21 грн
500+55.63 грн
1000+50.59 грн
3000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
714+49.25 грн
1000+45.42 грн
10000+40.49 грн
Мінімальне замовлення: 714 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
714+49.25 грн
1000+45.42 грн
Мінімальне замовлення: 714 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.99 грн
10+64.93 грн
100+43.18 грн
500+31.74 грн
1000+28.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+115.20 грн
179+78.67 грн
203+69.21 грн
500+55.63 грн
1000+50.59 грн
3000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf
IPN80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
Код товару: 212073
Додати до обраних Обраний товар
POGO_PIN_smd.png
контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5контакт "POGO" пружинний SMD, POGO PIN SMT A5,0/B1,5/C3,5
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: POGO SMD — це пружинний контактор для надійних тимчасових або роз’ємних з’єднань. Висота від друкованої плати: максимальна 5мм. Висота рухомого контакту: 1,5мм.
Штирі або гнізда: штирі POGO SMD
К-сть контактів: 1
у наявності: 234 шт
  • 219 шт - склад
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
2+10.00 грн
10+9.00 грн
100+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG6010CEH.115
Код товару: 160308
Додати до обраних Обраний товар
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.