Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPN80R1K2P7

IPN80R1K2P7

Код товару: 144481
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 4 шт:
4 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPN80R1K2P7 за ціною від 23.63 грн до 105.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
714+43.59 грн
1000+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 714
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
714+43.59 грн
1000+40.20 грн
10000+35.84 грн
Мінімальне замовлення: 714
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718688.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+46.14 грн
500+30.85 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718688.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+92.10 грн
14+62.75 грн
100+46.14 грн
500+30.85 грн
1000+25.97 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.78 грн
10+63.89 грн
100+40.74 грн
500+31.92 грн
1000+29.08 грн
3000+24.71 грн
6000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+101.98 грн
179+69.64 грн
203+61.27 грн
500+49.25 грн
1000+44.79 грн
3000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn80r1k2p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 5817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.41 грн
10+64.18 грн
100+42.68 грн
500+31.38 грн
1000+28.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7 IPN80R1K2P7 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineonipw60r099cm8datasheetv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFDFE7C04F673D1&compId=IPN80R1K2P7.pdf?ci_sign=016ba9a1e5be19df356a574b4dc7ffc00988a06e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1722
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
100 Ohm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 Ohm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується
Кількість Ціна
400+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
100uH 10% 1812 190мА (LQH43CN101K03L-Murata) индуктивность
Код товару: 111857
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: Murata
Індуктивності, дроселі > Індуктивності SMD інші
Номінал: 100 µH
Точність: ±10%
Габарити або типорозмір: 1812
Номінальний струм: 190 mA
Опір: 2,2 Ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
P7805-Q24-S3-S
Код товару: 144593
Додати до обраних Обраний товар

P7805-S.pdf
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD)
Код товару: 1215
Додати до обраних Обраний товар

RC_series.pdf
100 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-100KR) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 12914 шт
9050 шт - склад
3653 шт - РАДІОМАГ-Київ
211 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40000 шт
40000 шт - очікується
Кількість Ціна
400+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
10pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N100J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Код товару: 1280
Додати до обраних Обраний товар

NPO.pdf
10pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N100J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: NP0
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 21531 шт
17021 шт - склад
1400 шт - РАДІОМАГ-Київ
1000 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
2090 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
60+0.70 грн
100+0.50 грн
1000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.