Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R1K2P7ATMA1
IPN80R1K2P7ATMA1

IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f52704f9e6b7e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN80R1K2P7ATMA1 за ціною від 21.86 грн до 106.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718688.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+28.58 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
773+39.50 грн
1000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 773
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
157+78.19 грн
178+68.73 грн
224+54.60 грн
234+50.30 грн
500+39.22 грн
1000+34.69 грн
3000+34.34 грн
Мінімальне замовлення: 157
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718688.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.22 грн
13+64.54 грн
100+45.06 грн
500+28.58 грн
1000+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f52704f9e6b7e Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 5827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.25 грн
10+61.00 грн
100+42.85 грн
500+34.11 грн
1000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN-3362513.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.43 грн
10+65.82 грн
100+40.17 грн
500+35.97 грн
1000+31.12 грн
3000+27.15 грн
6000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7
Код товару: 144481
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7 IPN80R1K2P7 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN-3362513.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 11nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 11nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.