IPN80R1K2P7ATMA1

IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPN80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f52704f9e6b7e Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm.

Інші пропозиції IPN80R1K2P7ATMA1 за ціною від 25.66 грн до 92.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718688.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+46.47 грн
500+ 36.55 грн
1000+ 30.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R1K2P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f52704f9e6b7e Description: MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 500 V
на замовлення 5962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.92 грн
10+ 55.1 грн
100+ 42.87 грн
500+ 34.1 грн
1000+ 27.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN-3362513.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 2968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.18 грн
10+ 60.23 грн
100+ 41.42 грн
500+ 35.09 грн
1000+ 28.56 грн
3000+ 26.91 грн
6000+ 25.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718688.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K2P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.5 A, 1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.13 грн
12+ 63.49 грн
100+ 46.47 грн
500+ 36.55 грн
1000+ 30.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
124+92.45 грн
137+ 83.99 грн
163+ 70.48 грн
200+ 64.31 грн
500+ 53.47 грн
1000+ 43.16 грн
3000+ 38.58 грн
Мінімальне замовлення: 124
IPN80R1K2P7
Код товару: 144481
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN80R1K2P7 IPN80R1K2P7 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K2P7_DS_v02_01_EN-3362513.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 198infineon-ipn80r1k2p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R1K2P7ATMA1 IPN80R1K2P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K2P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 6.8W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній