Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R1K4P7ATMA1
IPN80R1K4P7ATMA1

IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN80R1K4P7ATMA1 за ціною від 22.64 грн до 93.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+42.61 грн
500+36.77 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
214+58.33 грн
216+57.75 грн
268+46.49 грн
278+43.22 грн
500+34.05 грн
1000+28.86 грн
3000+27.63 грн
Мінімальне замовлення: 214
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.72 грн
10+48.28 грн
100+31.97 грн
500+25.98 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+73.60 грн
12+62.50 грн
25+61.87 грн
100+48.03 грн
250+42.88 грн
500+35.02 грн
1000+30.92 грн
3000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.21 грн
15+61.37 грн
100+42.61 грн
500+36.77 грн
1000+30.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+80.51 грн
10+57.71 грн
100+38.17 грн
500+27.96 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE4360D764D3D1&compId=IPN80R1K4P7.pdf?ci_sign=78fb10d99a14536f832bfbd20390774725556ad0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 1.4Ω
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.67 грн
10+60.16 грн
100+38.37 грн
500+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
141+88.79 грн
165+75.58 грн
192+64.80 грн
203+59.22 грн
500+51.25 грн
1000+46.21 грн
3000+42.40 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R1K4P7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 5419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.99 грн
10+64.24 грн
100+36.98 грн
500+28.93 грн
1000+26.24 грн
3000+23.71 грн
6000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1
Код товару: 148097
Додати до обраних Обраний товар

infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn80r1k4p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.