Інші пропозиції IPN80R1K4P7ATMA1 за ціною від 29.21 грн до 99.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC On-state resistance: 1.4Ω Drain current: 2.7A Power dissipation: 7W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |