Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPN80R1K4P7ATMA1

IPN80R1K4P7ATMA1

infineon-ipn80r1k4p7-datasheet-en.pdf
Код товару: 148097
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPN80R1K4P7ATMA1 за ціною від 24.62 грн до 115.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+68.56 грн
216+67.87 грн
268+54.63 грн
278+50.79 грн
500+40.02 грн
1000+33.92 грн
3000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.74 грн
12+68.56 грн
25+67.87 грн
100+52.68 грн
250+47.03 грн
500+38.42 грн
1000+33.92 грн
3000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+104.36 грн
165+88.83 грн
192+76.16 грн
203+69.61 грн
500+60.23 грн
1000+54.30 грн
3000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.83 грн
10+63.88 грн
32+30.33 грн
50+30.24 грн
88+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r1k4p7-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.68 грн
10+65.19 грн
50+48.58 грн
100+40.58 грн
500+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies infineon_ipn80r1k4p7_datasheet_en.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+115.61 грн
10+53.27 грн
100+41.29 грн
500+32.28 грн
3000+25.68 грн
6000+25.38 грн
9000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
214+68.56 грн
216+67.87 грн
268+54.63 грн
278+50.79 грн
500+40.02 грн
1000+33.92 грн
3000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+80.74 грн
12+68.56 грн
25+67.87 грн
100+52.68 грн
250+47.03 грн
500+38.42 грн
1000+33.92 грн
3000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+104.36 грн
165+88.83 грн
192+76.16 грн
203+69.61 грн
500+60.23 грн
1000+54.30 грн
3000+49.84 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.83 грн
10+63.88 грн
32+30.33 грн
50+30.24 грн
88+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 infineon-ipn80r1k4p7-datasheet-en.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.68 грн
10+65.19 грн
50+48.58 грн
100+40.58 грн
500+31.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 infineon_ipn80r1k4p7_datasheet_en.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 7343 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.61 грн
10+53.27 грн
100+41.29 грн
500+32.28 грн
3000+25.68 грн
6000+25.38 грн
9000+24.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2718783.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 2718783.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.