IPN80R1K4P7ATMA1

IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies


2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+34.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IPN80R1K4P7ATMA1 за ціною від 23.01 грн до 91.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
214+53.92 грн
216+ 53.38 грн
268+ 42.97 грн
278+ 39.95 грн
500+ 31.48 грн
1000+ 26.68 грн
3000+ 25.54 грн
Мінімальне замовлення: 214
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.9 грн
500+ 43.72 грн
1000+ 33.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+58.96 грн
12+ 50.07 грн
25+ 49.56 грн
100+ 38.48 грн
250+ 34.35 грн
500+ 28.06 грн
1000+ 24.77 грн
3000+ 23.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45577866203 Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
на замовлення 1931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.68 грн
10+ 48.48 грн
100+ 37.68 грн
500+ 29.97 грн
1000+ 24.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R1K4P7_DS_v02_01_EN-3362533.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 15905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.05 грн
10+ 53.07 грн
100+ 35.54 грн
500+ 30.17 грн
1000+ 25.33 грн
3000+ 24.13 грн
6000+ 23.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
141+82.08 грн
165+ 69.86 грн
192+ 59.9 грн
203+ 54.74 грн
500+ 47.37 грн
1000+ 42.71 грн
3000+ 39.2 грн
Мінімальне замовлення: 141
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718783.pdf Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+91.48 грн
10+ 76.61 грн
100+ 56.9 грн
500+ 43.72 грн
1000+ 33.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
IPN80R1K4P7ATMA1
Код товару: 148097
Infineon-IPN80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45577866203 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2349966088704747infineon-ipn80r1k4p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R1K4P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf45577866203 Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V
товар відсутній
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній