IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 34.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IPN80R1K4P7ATMA1 за ціною від 23.01 грн до 91.48 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V |
на замовлення 1931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_NEW |
на замовлення 15905 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R1K4P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 4893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 Код товару: 148097 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 70µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 500 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IPN80R1K4P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 10nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |