Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R3K3P7ATMA1
IPN80R3K3P7ATMA1

IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528288916b80 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.44 грн
10+43.39 грн
100+28.98 грн
500+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V, Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPN80R3K3P7ATMA1 за ціною від 17.72 грн до 60.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R3K3P7_DS_v02_01_EN-3362561.pdf MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerTransistor
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.90 грн
10+46.98 грн
100+28.19 грн
500+24.01 грн
1000+20.57 грн
3000+18.01 грн
6000+17.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 115infineon-ipn80r3k3p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 115infineon-ipn80r3k3p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 115infineon-ipn80r3k3p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R3K3P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 3.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528288916b80 Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R3K3P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 3.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.