IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.12 грн |
| 500+ | 20.66 грн |
| 1000+ | 17.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN80R3K3P7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPN80R3K3P7ATMA1 за ціною від 14.97 грн до 61.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R3K3P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.9 A, 2.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerTransistor |
на замовлення 5184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IPN80R3K3P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Case: PG-SOT223 Kind of package: reel Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 6nC On-state resistance: 3.3Ω Drain current: 1.3A Power dissipation: 6.1W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |