Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R3K3P7ATMA1
IPN80R3K3P7ATMA1

IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528288916b80 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+43.60 грн
100+29.12 грн
500+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V, Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: PG-SOT223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V.

Інші пропозиції IPN80R3K3P7ATMA1 за ціною від 17.80 грн до 61.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R3K3P7_DS_v02_01_EN-3362561.pdf MOSFETs 800V CoolMOS P7PowerTransistor
на замовлення 5513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.20 грн
10+47.21 грн
100+28.32 грн
500+24.13 грн
1000+20.67 грн
3000+18.10 грн
6000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 115infineon-ipn80r3k3p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 115infineon-ipn80r3k3p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 115infineon-ipn80r3k3p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.9A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528288916b80 IPN80R3K3P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 IPN80R3K3P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R3K3P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625f2e26bc015f528288916b80 Description: MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.