Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R4K5P7ATMA1
IPN80R4K5P7ATMA1

IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.46 грн
6000+16.40 грн
9000+15.69 грн
15000+13.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN80R4K5P7ATMA1 за ціною від 19.26 грн до 74.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.14 грн
6000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.62 грн
6000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+50.63 грн
304+46.33 грн
305+46.09 грн
500+36.15 грн
1000+31.35 грн
3000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 18020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.66 грн
10+44.99 грн
100+29.39 грн
500+21.29 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN80R4K5P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON 2718786.pdf Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 INFINEON 2718786.pdf Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.14 грн
6000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.62 грн
6000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
278+50.63 грн
304+46.33 грн
305+46.09 грн
500+36.15 грн
1000+31.35 грн
3000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 18020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.66 грн
10+44.99 грн
100+29.39 грн
500+21.29 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon_IPN80R4K5P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 8259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 2718786.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 2718786.pdf
IPN80R4K5P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.