Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R4K5P7ATMA1
IPN80R4K5P7ATMA1

IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN80R4K5P7ATMA1 за ціною від 13.84 грн до 62.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.23 грн
6000+17.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.89 грн
6000+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718786.pdf Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.15 грн
500+21.27 грн
1500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
278+43.65 грн
304+39.95 грн
305+39.74 грн
500+31.17 грн
1000+27.03 грн
3000+24.36 грн
Мінімальне замовлення: 278
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2718786.pdf Description: INFINEON - IPN80R4K5P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+49.28 грн
50+40.72 грн
100+32.15 грн
500+21.27 грн
1500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE5BB2BC3FF3D1&compId=IPN80R4K5P7.pdf?ci_sign=181b854c7a65f95ea9d97b62a47f753309e2776a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.74 грн
10+39.85 грн
12+35.68 грн
29+32.14 грн
50+31.74 грн
79+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.44 грн
10+36.94 грн
100+25.88 грн
500+19.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R4K5P7_DS_v02_01_EN-3362534.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.90 грн
10+40.35 грн
100+24.57 грн
500+19.89 грн
1000+17.92 грн
3000+14.67 грн
6000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE5BB2BC3FF3D1&compId=IPN80R4K5P7.pdf?ci_sign=181b854c7a65f95ea9d97b62a47f753309e2776a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-SOT223
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4nC
On-state resistance: 4.5Ω
Drain current: 1A
Power dissipation: 6W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.09 грн
6+49.67 грн
10+42.82 грн
29+38.56 грн
50+38.09 грн
79+36.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 2342131690311000infineon-ipn80r4k5p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 IPN80R4K5P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn80r4k5p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80 pF @ 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.