IPN80R600P7ATMA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 68.85 грн |
| 500+ | 52.22 грн |
| 1000+ | 42.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPN80R600P7ATMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.4W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPN80R600P7ATMA1 за ціною від 38.57 грн до 135.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs LOW POWER_NEW |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.4W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS P7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 20nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA Supplier Device Package: PG-SOT223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPN80R600P7ATMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 20nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V |
товару немає в наявності |