Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R600P7ATMA1
IPN80R600P7ATMA1

IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies

infineon-ipn80r600p7-ds-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+44.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.4W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPN80R600P7ATMA1 за ціною від 45.10 грн до 157.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies 117infineon-ipn80r600p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.32 грн
10+91.20 грн
25+90.28 грн
100+76.90 грн
250+70.50 грн
500+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies 117infineon-ipn80r600p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.32 грн
155+91.20 грн
156+90.28 грн
177+76.90 грн
250+70.50 грн
500+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipn80r600p7-ds-en.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.02 грн
10+96.73 грн
100+65.66 грн
500+49.12 грн
1000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IPN80R600P7_DS_v02_01_EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON 2718787.pdf Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 IPN80R600P7ATMA1 INFINEON 2718787.pdf Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 117infineon-ipn80r600p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+100.32 грн
10+91.20 грн
25+90.28 грн
100+76.90 грн
250+70.50 грн
500+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 117infineon-ipn80r600p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
141+100.32 грн
155+91.20 грн
156+90.28 грн
177+76.90 грн
250+70.50 грн
500+62.06 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 infineon-ipn80r600p7-ds-en.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 500 V
на замовлення 3291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+157.02 грн
10+96.73 грн
100+65.66 грн
500+49.12 грн
1000+45.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 Infineon_IPN80R600P7_DS_v02_01_EN.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 1419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 2718787.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R600P7ATMA1 2718787.pdf
IPN80R600P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R600P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.51 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.4W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.