Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R750P7ATMA1
IPN80R750P7ATMA1

IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies

2365493799658259infineon-ipn80r750p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
140+101.04 грн
141+100.03 грн
175+80.58 грн
250+76.92 грн
500+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN80R750P7ATMA1 за ціною від 59.40 грн до 119.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies 2365493799658259infineon-ipn80r750p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+119.80 грн
10+101.04 грн
25+100.03 грн
100+77.70 грн
250+71.22 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_01-EN.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 IPN80R750P7ATMA1 INFINEON infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 2365493799658259infineon-ipn80r750p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625f2e26bc015f52.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+119.80 грн
10+101.04 грн
25+100.03 грн
100+77.70 грн
250+71.22 грн
500+59.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 Infineon-IPN80R750P7-DS-v02_01-EN.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 6572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R750P7ATMA1 infineon-ipn80r750p7-ds-en.pdf
IPN80R750P7ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPN80R750P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.64 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.64ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.64ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.