Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPN80R900P7ATMA1
IPN80R900P7ATMA1

IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies

Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPN80R900P7ATMA1 за ціною від 30.77 грн до 129.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 25infineon-ipn80r900p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.12 грн
500+36.94 грн
1000+30.77 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 25infineon-ipn80r900p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
138+88.98 грн
151+81.00 грн
185+65.96 грн
200+59.50 грн
1000+48.80 грн
2000+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 138
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 110µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 500 V
на замовлення 5073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.00 грн
10+69.89 грн
100+46.95 грн
500+34.48 грн
1000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPN80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625cc9456a015cf4679a7e646f Description: INFINEON - IPN80R900P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.77 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.77ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+127.09 грн
10+82.53 грн
100+56.12 грн
500+41.08 грн
1000+34.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN80R900P7_DS_v02_01_EN-3362647.pdf MOSFETs LOW POWER_NEW
на замовлення 15702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.60 грн
10+82.83 грн
100+48.63 грн
250+48.56 грн
500+37.00 грн
1000+33.77 грн
3000+30.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 25infineon-ipn80r900p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf P7 Power Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 25infineon-ipn80r900p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies 25infineon-ipn80r900p7-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4625cc9456a015cf4.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE698C6F5A53D1&compId=IPN80R900P7.pdf?ci_sign=1cb3ac008409bbbe434f89ad91f7ebd4ca924304 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R900P7ATMA1 IPN80R900P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE88CFE698C6F5A53D1&compId=IPN80R900P7.pdf?ci_sign=1cb3ac008409bbbe434f89ad91f7ebd4ca924304 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.