IPN95R2K0P7ATMA1

IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies


Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPN95R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 950V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: CoolMOS P7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPN95R2K0P7ATMA1 за ціною від 27.43 грн до 96.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2643881.pdf Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.48 грн
500+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 Виробник : INFINEON 2643881.pdf Description: INFINEON - IPN95R2K0P7ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 950 V, 4 A, 1.71 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 950V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS P7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.71ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+69.07 грн
15+59.54 грн
100+48.48 грн
500+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c Description: MOSFET N-CH 950V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-SOT223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 400 V
на замовлення 22455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.48 грн
10+55.29 грн
100+41.05 грн
500+30.13 грн
1000+27.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPN95R2K0P7_DS_v02_00_EN-3164832.pdf MOSFET LOW POWER_NEW
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.42 грн
10+85.54 грн
100+57.70 грн
500+47.69 грн
1000+37.68 грн
3000+33.29 грн
9000+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPN95R2K0P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01643719f9a8500c IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 IPN95R2K0P7ATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipn95r2k0p7-ds-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.