IPP011N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.71 грн |
| 10+ | 125.99 грн |
| 100+ | 87.68 грн |
| 500+ | 70.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP011N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP011N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 1050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IPP011N03LF2SAKSA1 за ціною від 58.91 грн до 211.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP011N03LF2SAKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP011N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 1050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP011N03LF2SAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|