IPP011N03LF2SAKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPP011N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 0.00105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 200.85 грн |
| 10+ | 149.35 грн |
| 100+ | 119.31 грн |
| 500+ | 93.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP011N03LF2SAKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP011N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 210 A, 0.00105 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP011N03LF2SAKSA1 за ціною від 65.11 грн до 233.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP011N03LF2SAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 336 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15100 pF @ 15 V |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP011N03LF2SAKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP011N03LF2SAKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 210A; 3.8W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: MOSFET Drain-source voltage: 30V Drain current: 210A Power dissipation: 3.8W Case: TO220-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 1.05mΩ Mounting: THT Gate charge: 224nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|