
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 149.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 0.00123 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP014N06NF2SAKMA2 за ціною від 102.14 грн до 336.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00123ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |