IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 195.52 грн |
| 500+ | 184.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 198A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm.
Інші пропозиції IPP014N06NF2SAKMA2 за ціною від 66.94 грн до 413.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 198A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 203nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 38 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IPP014N06NF2SAKMA2 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 180+ | 195.52 грн |
| 500+ | 184.98 грн |
| 1000+ | 175.61 грн |
| 10000+ | 159.18 грн |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 246µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 30 V
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 220.91 грн |
| 50+ | 105.67 грн |
| 100+ | 95.31 грн |
| 500+ | 72.41 грн |
| 1000+ | 66.94 грн |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 228.13 грн |
| 10+ | 182.83 грн |
| 20+ | 168.01 грн |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 413.60 грн |
| 10+ | 234.35 грн |
| 50+ | 232.04 грн |
| 100+ | 207.78 грн |
| 500+ | 145.42 грн |
| 1000+ | 138.21 грн |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 413.60 грн |
| 60+ | 234.35 грн |
| 61+ | 232.04 грн |
| 100+ | 207.78 грн |
| 500+ | 145.42 грн |
| 1000+ | 138.21 грн |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
Description: INFINEON - IPP014N06NF2SAKMA2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 198 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1052 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 39A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)