Інші пропозиції IPP015N04NF2SAKMA1 за ціною від 45.07 грн до 164.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP015N04NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC On-state resistance: 1.5mΩ Drain current: 193A Drain-source voltage: 40V Power dissipation: 188W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH PG-TO220-3Packaging: Tube Part Status: Active |
на замовлення 2912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP015N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 40V |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP015N04NF2SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 193A hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP015N04NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 193A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.5mΩ
Drain current: 193A
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 188W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 101.11 грн |
| 10+ | 88.12 грн |
| 20+ | 84.83 грн |
| 50+ | 73.30 грн |
| IPP015N04NF2SAKMA1 |
![]() |
на замовлення 2912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 164.72 грн |
| 50+ | 77.80 грн |
| 100+ | 69.95 грн |
| 500+ | 52.72 грн |
| 1000+ | 48.57 грн |
| 2000+ | 45.07 грн |
| IPP015N04NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP015N04NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






