Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP015N04NF2SAKMA1

IPP015N04NF2SAKMA1

Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
Код товару: 202345
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP015N04NF2SAKMA1 за ціною від 72.15 грн до 236.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 106nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+111.14 грн
10+95.87 грн
20+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.29 грн
50+113.53 грн
100+102.47 грн
500+77.99 грн
1000+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies Infineon_IPP015N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 IPP015N04NF2SAKMA1 INFINEON Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3 Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
IPP015N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 193A; 188W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 193A
Power dissipation: 188W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 106nC
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+111.14 грн
10+95.87 грн
20+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
IPP015N04NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Part Status: Active
на замовлення 1225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.29 грн
50+113.53 грн
100+102.47 грн
500+77.99 грн
1000+72.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon_IPP015N04NF2S_DataSheet_v02_00_EN.pdf
IPP015N04NF2SAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 40V
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NF2SAKMA1 Infineon-IPP015N04NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c82ce56640183175b60d92ae3
IPP015N04NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP015N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 193 A, 1230 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
Dauer-Drainstrom Id: 193A
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1230µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.