IPP015N04NGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 138.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP015N04NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP015N04NGXKSA1 за ціною від 151.92 грн до 504.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP015N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP015N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP015N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V |
на замовлення 699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP015N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3 |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP015N04NGXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
IPP015N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |