Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP015N04NGXKSA1
IPP015N04NGXKSA1

IPP015N04NGXKSA1 Infineon Technologies

ipb015n04n_rev2.21.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+224.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP015N04NGXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP015N04NGXKSA1 за ціною від 134.89 грн до 372.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP015N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+366.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 Infineon Technologies IPB015N04N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c474de8f0845 Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+372.55 грн
50+188.85 грн
100+172.45 грн
500+134.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPB015N04N_DS_v02_02_en-1731690.pdf MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NGXKSA1 INFINEON IPB015N04N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c474de8f0845 Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPP015N04NG-DTE.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+366.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPB015N04N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c474de8f0845
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.55 грн
50+188.85 грн
100+172.45 грн
500+134.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 Infineon_IPB015N04N_DS_v02_02_en-1731690.pdf
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 40V 120A TO220-3
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP015N04NGXKSA1 IPB015N04N_rev2+0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431689f4420116c474de8f0845
IPP015N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP015N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 1200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.