Інші пропозиції IPP016N08NF2SAKMA1 за ціною від 127.69 грн до 170.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 261500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 131000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP016N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Description: TRENCH 40<-<100V
на замовлення 261500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 160+ | 127.69 грн |
| IPP016N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 134.65 грн |
| IPP016N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 134.65 грн |
| IPP016N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 131000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 170.76 грн |
| IPP016N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
MOSFETs TRENCH 40<-<100V
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP016N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 196A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






