IPP016N08NF2SAKMA1
Код товару: 183516
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Корпус: TO-220
Uds,V: 80 V
Idd,A: 196 A
Rds(on), Ohm: 1,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12000/170
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IPP016N08NF2SAKMA1 за ціною від 114.92 грн до 337.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 131000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 196A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 40 V |
на замовлення 260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP016N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 196 A, 1400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 196A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP016N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |