IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 79.55 грн |
| 2000+ | 79.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 191A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm.
Інші пропозиції IPP019N08NF2SAKMA1 за ціною від 90.63 грн до 286.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 127000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP019N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 764A Gate charge: 124nC |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V |
на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET > 60-80V |
на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IPP019N08NF2SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 97.76 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 145+ | 97.76 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 121.40 грн |
| 118+ | 120.22 грн |
| 119+ | 119.04 грн |
| 1000+ | 113.65 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 127.08 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 129.80 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 224+ | 157.94 грн |
| 500+ | 152.04 грн |
| 1000+ | 143.79 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 210.37 грн |
| 10+ | 196.54 грн |
| 25+ | 136.05 грн |
| 100+ | 123.30 грн |
| 250+ | 113.49 грн |
| 500+ | 99.77 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 68+ | 210.37 грн |
| 72+ | 196.54 грн |
| 104+ | 136.05 грн |
| 111+ | 123.30 грн |
| 250+ | 113.49 грн |
| 500+ | 99.77 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 764A
Gate charge: 124nC
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 251.98 грн |
| 50+ | 105.67 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 286.88 грн |
| 50+ | 140.16 грн |
| 100+ | 127.02 грн |
| 500+ | 97.57 грн |
| 1000+ | 90.63 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET > 60-80V
MOSFETs IFX FET > 60-80V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 1700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)