
IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 68.63 грн |
2000+ | 68.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP019N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP019N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 191 A, 0.0017 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 191A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP019N08NF2SAKMA1 за ціною від 77.81 грн до 266.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 127000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 191A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 194µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 40 V |
на замовлення 846 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 191A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 1812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 793 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A Pulsed drain current: 764A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 124nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A Pulsed drain current: 764A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 124nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IPP019N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |