Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP020N03LF2SAKSA1
IPP020N03LF2SAKSA1

IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 125A; 136W; TO220-3
On-state resistance: 2.05mΩ
Mounting: THT
Case: TO220-3
Power dissipation: 136W
Gate charge: 69nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 125A
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+103.58 грн
10+63.01 грн
50+48.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 125A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, Verlustleistung: 136W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm.

Інші пропозиції IPP020N03LF2SAKSA1 за ціною від 79.96 грн до 188.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+116.71 грн
100+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP020N03LF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 IPP020N03LF2SAKSA1 INFINEON 4384402.pdf Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP020N03LF2S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fe2ba53256d
IPP020N03LF2SAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 80µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
10+116.71 грн
100+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 Infineon_IPP020N03LF2S_DataSheet_v02_01_EN.pdf
IPP020N03LF2SAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N03LF2SAKSA1 4384402.pdf
IPP020N03LF2SAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 125 A, 2050 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2050µohm
на замовлення 977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.