IPP020N06NXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 278.97 грн |
| 50+ | 138.23 грн |
| 100+ | 125.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP020N06NXKSA1 Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3, Type of transistor: N-MOSFET, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 120A, Case: PG-TO220-3, Gate-source voltage: 20V, Mounting: THT, Gate charge: 124nC.
Інші пропозиції IPP020N06NXKSA1 за ціною від 112.51 грн до 112.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP020N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: 20V Mounting: THT Gate charge: 124nC |
на замовлення 8900 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| IPP020N06NXKSA1 |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 112.51 грн |