Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP020N06NXKSA1
IPP020N06NXKSA1

IPP020N06NXKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP020N06N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 143µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9750 pF @ 30 V
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.39 грн
10+115.32 грн
50+87.70 грн
100+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP020N06NXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP020N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.

Інші пропозиції IPP020N06NXKSA1 за ціною від 112.76 грн до 112.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP020N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP020N06N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
500+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NXKSA1 INFINEON infineon-ipp020n06n-ds-en.pdf Description: INFINEON - IPP020N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NXKSA1 Infineon-IPP020N06N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465ce627962f5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 60V; 120A; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: 20V
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N06NXKSA1 infineon-ipp020n06n-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.