Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP020N08N5AKSA1
IPP020N08N5AKSA1

IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies

8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+107.88 грн
10+107.87 грн
25+103.48 грн
500+99.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції IPP020N08N5AKSA1 за ціною від 172.98 грн до 467.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies 8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+225.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies 8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+277.70 грн
54+271.86 грн
100+269.91 грн
500+258.39 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies 8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+285.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP020N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+318.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP020N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd88c826204 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.56 грн
10+280.34 грн
50+221.19 грн
100+189.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies infineon_ipp020n08n5_datasheet_en.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 639 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+444.33 грн
10+217.71 грн
100+172.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 Infineon Technologies 8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+467.75 грн
40+371.48 грн
52+282.29 грн
500+271.27 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5AKSA1 INFINEON INFNS30035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+225.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+277.70 грн
54+271.86 грн
100+269.91 грн
500+258.39 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+285.69 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 IPP020N08N5-DTE.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 2mΩ
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+318.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 Infineon-IPP020N08N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145ccd88c826204
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 280µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 223 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16900 pF @ 40 V
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+434.56 грн
10+280.34 грн
50+221.19 грн
100+189.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 infineon_ipp020n08n5_datasheet_en.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 639 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+444.33 грн
10+217.71 грн
100+172.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 8676ipp020n08n5_2_1.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6fileid.pdf
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
32+467.75 грн
40+371.48 грн
52+282.29 грн
500+271.27 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP020N08N5AKSA1 INFNS30035-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP020N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP020N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.