IPP023N03LF2SAKSA1

IPP023N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP023N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019030cc55232b27
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 121A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.06 грн
10+65.69 грн
100+51.18 грн
500+39.10 грн
1000+32.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP023N03LF2SAKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 2350 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPP023N03LF2SAKSA1 за ціною від 29.83 грн до 116.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP023N03LF2SAKSA1 IPP023N03LF2SAKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP023N03LF2S_DataSheet_v02_00_EN-3476263.pdf MOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.04 грн
10+71.01 грн
100+48.12 грн
500+40.75 грн
1000+33.17 грн
2000+31.15 грн
5000+30.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N03LF2SAKSA1 IPP023N03LF2SAKSA1 Виробник : INFINEON Infineon-IPP023N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d1019030cc55232b27 Description: INFINEON - IPP023N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 121 A, 2350 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 121A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2350µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.83 грн
11+75.05 грн
100+49.98 грн
500+33.75 грн
1000+29.83 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.