IPP023N04NGXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 91.11 грн |
| 10+ | 84.60 грн |
| 100+ | 83.78 грн |
| 500+ | 77.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023N04NGXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP023N04NGXKSA1 за ціною від 75.30 грн до 207.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 169000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |