IPP023N04NGXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 63.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023N04NGXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP023N04NGXKSA1 за ціною від 81.30 грн до 194.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 169000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP023N04NGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0019 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 40V 90A TO220-3 |
на замовлення 3806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: 40V Drain current: 90A Case: PG-TO220-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 2.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 167W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 95µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IPP023N04NGXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 167W; PG-TO220-3 Drain-source voltage: 40V Drain current: 90A Case: PG-TO220-3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 2.3mΩ Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 167W |
товару немає в наявності |