Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP023N08N5AKSA1
IPP023N08N5AKSA1

IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies

infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+98.39 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IPP023N08N5AKSA1 за ціною від 124.60 грн до 296.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.82 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+211.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.44 грн
77+185.75 грн
100+182.92 грн
200+165.48 грн
500+124.60 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP023N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac92b172c1ae8 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.01 грн
50+146.84 грн
100+133.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP023N08N5_DS_v02_00_EN.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 IPP023N08N5AKSA1 INFINEON INFN-S-A0000250427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf
IPP023N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+199.82 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf
IPP023N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+211.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 infineon-ipp023n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014ac9.pdf
IPP023N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+273.44 грн
77+185.75 грн
100+182.92 грн
200+165.48 грн
500+124.60 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 Infineon-IPP023N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac92b172c1ae8
IPP023N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+296.01 грн
50+146.84 грн
100+133.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 Infineon_IPP023N08N5_DS_v02_00_EN.pdf
IPP023N08N5AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N08N5AKSA1 INFN-S-A0000250427-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP023N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.