IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 198.64 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023N08N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.
Інші пропозиції IPP023N08N5AKSA1 за ціною від 129.63 грн до 541.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 395 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IPP023N08N5AKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 198.64 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 211.26 грн |
| 1000+ | 197.44 грн |
| 2000+ | 187.19 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 395 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 326.63 грн |
| 50+ | 138.77 грн |
| 100+ | 129.63 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 208µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 382.88 грн |
| 10+ | 245.68 грн |
| 50+ | 192.82 грн |
| 100+ | 165.00 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 495.55 грн |
| 51+ | 281.00 грн |
| 100+ | 258.13 грн |
| 500+ | 208.12 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 512.00 грн |
| 10+ | 290.32 грн |
| 100+ | 266.70 грн |
| 500+ | 215.03 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 538.81 грн |
| 50+ | 287.15 грн |
| 100+ | 262.07 грн |
| 500+ | 221.98 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 541.00 грн |
| 10+ | 288.32 грн |
| 100+ | 263.14 грн |
| 500+ | 222.88 грн |
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
Description: INFINEON - IPP023N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 2000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







