Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP023N10N5AKSA1

IPP023N10N5AKSA1 Infineon Technologies

Name: IPP023N10N5AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 19793624-5
Price: 12445 UAH
Availability: InStock

873155727359120dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 864 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
25+	497.80 грн
32+	384.74 грн
50+	348.14 грн
100+	318.45 грн
200+	280.33 грн
500+	253.08 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IPP023N10N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPP023N10N5AKSA1

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IPP023N10N5AKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP023N10N5AKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP023N10N5AKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP023N10N5AKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP023N10N5AKSA1	Виробник : Infineon Technologies	Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP023N10N5AKSA1	Виробник : Infineon Technologies	MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IPP023N10N5AKSA1	Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.