Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP023N10N5AKSA1
IPP023N10N5AKSA1

IPP023N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

IPP023N10N5-DTE.pdf Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.33 грн
10+255.86 грн
50+226.34 грн
100+203.37 грн
250+192.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP023N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IPP023N10N5AKSA1 за ціною від 286.66 грн до 463.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies 873155727359120dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+463.60 грн
34+376.83 грн
50+346.21 грн
100+286.66 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1
Код товару: 215527
Додати до обраних Обраний товар

Infineon-IPP023N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a675f86494 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies 873155727359120dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies 873155727359120dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies 873155727359120dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4614546039.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP023N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a675f86494 Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP023N10N5-DS-v02_03-EN.pdf MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.