IPP023N10N5AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 460.39 грн |
| 34+ | 374.23 грн |
| 50+ | 343.82 грн |
| 100+ | 284.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023N10N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IPP023N10N5AKSA1 за ціною від 244.13 грн до 425.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 IPP023N10N5AKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 469 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IPP023N10N5AKSA1 Код товару: 215527
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
 |
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IPP023N10N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3 |
товару немає в наявності |