IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies


Infineon-IPP023N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a675f86494
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15600 pF @ 50 V
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+469.86 грн
50+240.60 грн
100+220.17 грн
500+173.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm.

Інші пропозиції IPP023N10N5XKSA1 за ціною від 276.84 грн до 352.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP023N10N5XKSA1 IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP023N10N5_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 IPP023N10N5XKSA1 INFINEON 4425947.pdf Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP023N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a675f86494 IPP023N10N5XKSA1
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+352.55 грн
11000+323.71 грн
16500+302.78 грн
22000+276.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 Infineon_IPP023N10N5_DS_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs OptiMOS 5 power MOSFET 100 V in a TO-220 package
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 4425947.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5XKSA1 Infineon-IPP023N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d461454603990145d5a675f86494
Виробник: Infineon Technologies
IPP023N10N5XKSA1
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+352.55 грн
11000+323.71 грн
16500+302.78 грн
22000+276.84 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.