IPP023NE7N3 G Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 427.42 грн |
| 10+ | 276.27 грн |
| 100+ | 178.68 грн |
| 500+ | 149.40 грн |
| 1000+ | 138.89 грн |
| 2500+ | 129.88 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023NE7N3 G Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V.
Інші пропозиції IPP023NE7N3 G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP023NE7N3G | Infineon technologies |
 |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP023NE7N3G |
|
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)