IPP023NE7N3GXKSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 217.19 грн |
| 10+ | 114.70 грн |
| 100+ | 113.07 грн |
| 500+ | 103.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023NE7N3GXKSA1 INFINEON
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP023NE7N3GXKSA1 за ціною від 164.71 грн до 534.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V |
на замовлення 760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |