IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 273µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 37.5 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 293.27 грн |
| 50+ | 179.49 грн |
| 100+ | 177.32 грн |
| 500+ | 161.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP023NE7N3GXKSA1 за ціною від 249.04 грн до 641.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 374.27 грн |
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 446.20 грн |
| 10+ | 416.79 грн |
| 100+ | 362.84 грн |
| 500+ | 313.33 грн |
| 1000+ | 262.67 грн |
| 2500+ | 249.04 грн |
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 543.13 грн |
| 10+ | 495.74 грн |
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 641.48 грн |
| 25+ | 576.40 грн |
| 100+ | 472.23 грн |
| 500+ | 387.64 грн |
| 1000+ | 315.32 грн |
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP023NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





