IPP024N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 182A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 139µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 40 V
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.10 грн |
| 50+ | 124.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP024N08NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 182A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP024N08NF2SAKMA1 за ціною від 72.50 грн до 287.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 1062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP024N08NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 182 A, 2100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 182A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube |
на замовлення 256000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube |
на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 28A Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 182A Gate charge: 89nC On-state resistance: 2.4mΩ Power dissipation: 214W Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT |
товару немає в наявності |