
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.17 грн |
10+ | 102.37 грн |
100+ | 69.08 грн |
500+ | 58.27 грн |
1000+ | 47.38 грн |
2000+ | 44.66 грн |
5000+ | 42.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: TRENCH PG-TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V.
Інші пропозиції IPP026N04NF2SAKMA1 за ціною від 60.69 грн до 137.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
![]() Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: true Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||
![]() |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |