на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.87 грн |
| 10+ | 102.12 грн |
| 100+ | 68.91 грн |
| 500+ | 58.13 грн |
| 1000+ | 47.26 грн |
| 2000+ | 44.55 грн |
| 5000+ | 42.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP026N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 121A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET 2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції IPP026N04NF2SAKMA1 за ціною від 48.55 грн до 143.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : INFINEON |
 Description: INFINEON - IPP026N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 121 A, 0.0021 ohm, TO-220, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 121A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
SP005632915 |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 40V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IPP026N04NF2SAKMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: TRENCH PG-TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 81µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |