Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP027N08N5AKSA1
IPP027N08N5AKSA1

IPP027N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+130.66 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP027N08N5AKSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V.

Інші пропозиції IPP027N08N5AKSA1 за ціною від 114.77 грн до 292.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp027n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+234.26 грн
71+172.44 грн
100+171.63 грн
1000+152.16 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp027n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+268.34 грн
10+196.31 грн
25+186.40 грн
100+140.44 грн
250+125.31 грн
500+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp027n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+292.83 грн
57+214.23 грн
60+203.42 грн
100+153.27 грн
250+136.75 грн
500+125.25 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp027n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp027n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-ipp027n08n5-ds-v02_00-en.pdffileid5546d4624a75e5f1014acf.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP027N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4 Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP027N08N5_DS_v02_00_EN-1227331.pdf MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5AKSA1 IPP027N08N5AKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IPP027N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.