IPP027N08N5AKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 248.37 грн |
| 71+ | 182.83 грн |
| 100+ | 181.97 грн |
| 1000+ | 161.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP027N08N5AKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V.
Інші пропозиції IPP027N08N5AKSA1 за ціною від 132.79 грн до 328.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP027N08N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP027N08N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP027N08N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IPP027N08N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IPP027N08N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IPP027N08N5AKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 |
товару немає в наявності |


