Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP027N08N5XKSA1

IPP027N08N5XKSA1 Infineon Technologies

Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4 Виробник: Infineon Technologies
IPP027N08N5XKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP027N08N5XKSA1 Infineon Technologies

Description: TRENCH 40.

Інші пропозиції IPP027N08N5XKSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP027N08N5XKSA1 IPP027N08N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP027N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf48b5061bd4 Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 154µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP027N08N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP027N08N5_DS_v02_00_EN-1227331.pdf MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.