IPP028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 158+ | 223.61 грн |
| 500+ | 211.91 грн |
| 1000+ | 200.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP028N08N3GXKSA1 за ціною від 166.60 грн до 648.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 6748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 6748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 11500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP028N08N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon |
|
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 429.79 грн |
| 10+ | 425.53 грн |
| 25+ | 418.19 грн |
| 50+ | 260.97 грн |
| 100+ | 224.64 грн |
| 250+ | 213.46 грн |
| 500+ | 166.60 грн |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 430.92 грн |
| 34+ | 423.48 грн |
| 52+ | 264.28 грн |
| 100+ | 227.49 грн |
| 250+ | 216.17 грн |
| 500+ | 168.70 грн |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 648.01 грн |
| IPP028N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP028N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




