Інші пропозиції IPP030N06NF2SAKMA1 за ціною від 33.69 грн до 157.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP030N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 68nC On-state resistance: 3.05mΩ Drain current: 119A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 150W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 106 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IFX FET 60V |
на замовлення 1631 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies |
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V |
на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP030N06NF2SAKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IPP030N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 64.10 грн |
| 6000+ | 58.57 грн |
| 9000+ | 54.50 грн |
| IPP030N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 3.05mΩ
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 3.05mΩ
Drain current: 119A
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 150W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 106 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 71.61 грн |
| 10+ | 67.53 грн |
| 50+ | 59.47 грн |
| 100+ | 52.77 грн |
| IPP030N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 159+ | 89.39 грн |
| 173+ | 81.82 грн |
| 500+ | 59.16 грн |
| 1000+ | 51.19 грн |
| IPP030N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET 60V
MOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 1631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.92 грн |
| 10+ | 61.36 грн |
| 100+ | 47.72 грн |
| 500+ | 37.85 грн |
| 1000+ | 37.78 грн |
| 2000+ | 33.69 грн |
| IPP030N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
Description: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.38 грн |
| 50+ | 62.99 грн |
| 100+ | 56.33 грн |
| 500+ | 41.88 грн |
| IPP030N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 157.06 грн |
| 11+ | 75.73 грн |
| 100+ | 67.84 грн |
| 500+ | 50.01 грн |







