IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies


ipp030n10n3g_rev21.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+198.38 грн
100+196.22 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IPP030N10N3GXKSA1 за ціною від 177.89 грн до 515.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+200.59 грн
50+198.63 грн
100+196.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+307.77 грн
10+196.84 грн
50+184.48 грн
100+177.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+515.13 грн
57+247.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON 1849753.pdf Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp030n10n3g_rev21.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 ipp030n10n3g_rev21.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+200.59 грн
50+198.63 грн
100+196.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+307.77 грн
10+196.84 грн
50+184.48 грн
100+177.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3+G_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 ipp030n10n3g_rev21.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+515.13 грн
57+247.38 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 1849753.pdf
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 ipp030n10n3g_rev21.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 ipp030n10n3g_rev21.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.