Продукція > INFINEON > IPP030N10N5XKSA1
IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1 INFINEON

Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+273.42 грн
10+239.56 грн
100+198.08 грн
500+165.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP030N10N5XKSA1 INFINEON

Description: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

Інші пропозиції IPP030N10N5XKSA1 за ціною від 172.08 грн до 374.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP030N10N5XKSA1 IPP030N10N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.67 грн
50+188.71 грн
100+172.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 IPP030N10N5XKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 IPP030N10N5XKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_IPP030N10N5_DS_v02_03_EN-1227232.pdf MOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.