Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP030N10N5XKSA1
IPP030N10N5XKSA1

IPP030N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+360.98 грн
10+210.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP030N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції IPP030N10N5XKSA1 за ціною від 147.88 грн до 581.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IPP030N10N5XKSA1 IPP030N10N5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.50 грн
50+207.32 грн
100+189.25 грн
500+147.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 IPP030N10N5XKSA1 INFINEON Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 Description: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 IPP030N10N5XKSA1
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+222.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 IPP030N10N5XKSA1
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+578.73 грн
50+304.25 грн
100+277.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 IPP030N10N5XKSA1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+581.64 грн
50+305.79 грн
100+279.12 грн
500+224.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP030N10N5_DS_v02_03_EN.pdf MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
IPP030N10N5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+409.50 грн
50+207.32 грн
100+189.25 грн
500+147.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
IPP030N10N5XKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
Виробник: Infineon Technologies
IPP030N10N5XKSA1
на замовлення 29500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+222.62 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
Виробник: Infineon Technologies
IPP030N10N5XKSA1
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+578.73 грн
50+304.25 грн
100+277.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
Виробник: Infineon Technologies
IPP030N10N5XKSA1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+581.64 грн
50+305.79 грн
100+279.12 грн
500+224.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon_IPP030N10N5_DS_v02_03_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.