Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IPP032N06N3GXKSA1

IPP032N06N3GXKSA1

IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160
Код товару: 192070
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IPP032N06N3GXKSA1 за ціною від 63.65 грн до 217.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Infineon info-tipp032n06n3g.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.21 грн
10+89.93 грн
25+78.90 грн
50+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP032N06N3-DS-v02_02-en.pdf MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.40 грн
10+101.32 грн
100+79.65 грн
500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160 Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.26 грн
50+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 info-tipp032n06n3g.pdf
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+65.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G-DTE.pdf
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+188.21 грн
10+89.93 грн
25+78.90 грн
50+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 Infineon-IPP032N06N3-DS-v02_02-en.pdf
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+206.40 грн
10+101.32 грн
100+79.65 грн
500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+217.26 грн
50+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.