Інші пропозиції IPP032N06N3GXKSA1 за ціною від 34.33 грн до 376.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 188W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 114 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IPP032N06N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |