IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 198+ | 180.35 грн |
| 500+ | 170.86 грн |
| 1000+ | 161.36 грн |
| 10000+ | 146.45 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
198 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.
Інші пропозиції IPP034NE7N3GXKSA1 за ціною від 106.74 грн до 501.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V |
на замовлення 499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 28500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C; IPP034NE7N3GXKSA1 TIPP034ne7n3gкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 195.06 грн |
| 1000+ | 182.63 грн |
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 195.06 грн |
| 1000+ | 182.63 грн |
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 227.78 грн |
| 3+ | 219.52 грн |
| 10+ | 188.99 грн |
| 20+ | 170.83 грн |
| 50+ | 155.15 грн |
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 248.37 грн |
| 50+ | 119.92 грн |
| 100+ | 108.42 грн |
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 394.41 грн |
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 499.21 грн |
| 55+ | 261.84 грн |
| 100+ | 236.21 грн |
| 500+ | 184.84 грн |
| 1000+ | 160.27 грн |
| 2000+ | 144.71 грн |
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 501.59 грн |
| 50+ | 263.08 грн |
| 100+ | 237.33 грн |
| 500+ | 185.71 грн |
| 1000+ | 161.03 грн |
| 2000+ | 145.39 грн |
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C; IPP034NE7N3GXKSA1 TIPP034ne7n3g
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 214W; -55°C ~ 175°C; IPP034NE7N3GXKSA1 TIPP034ne7n3g
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 106.74 грн |






