IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 283.99 грн |
| 50+ | 140.20 грн |
| 100+ | 127.32 грн |
| 500+ | 98.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 214W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IPP034NE7N3GXKSA1 за ціною від 127.20 грн до 393.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IPP034NE7N3GXKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 214W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IPP034NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IPP034NE7N3GXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH 40<-<100V |
товару немає в наявності |