Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IPP034NE7N3GXKSA1
IPP034NE7N3GXKSA1

IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies

infineonipp034ne7n3gdsen.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
198+179.15 грн
500+169.72 грн
1000+160.29 грн
10000+145.48 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 214W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm.

Інші пропозиції IPP034NE7N3GXKSA1 за ціною від 128.48 грн до 498.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipp034ne7n3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+193.77 грн
1000+181.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipp034ne7n3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+193.77 грн
1000+181.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.16 грн
3+225.67 грн
10+194.28 грн
20+175.62 грн
50+159.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0001299349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.56 грн
10+169.39 грн
100+154.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.09 грн
50+183.19 грн
100+166.38 грн
500+128.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipp034ne7n3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+391.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipp034ne7n3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+495.90 грн
55+260.10 грн
100+234.64 грн
500+183.61 грн
1000+159.21 грн
2000+143.75 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies infineonipp034ne7n3gdsen.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+498.26 грн
50+261.33 грн
100+235.75 грн
500+184.48 грн
1000+159.96 грн
2000+144.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 infineonipp034ne7n3gdsen.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+193.77 грн
1000+181.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 infineonipp034ne7n3gdsen.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+193.77 грн
1000+181.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G-DTE.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+234.16 грн
3+225.67 грн
10+194.28 грн
20+175.62 грн
50+159.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 INFN-S-A0001299349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 214W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+330.56 грн
10+169.39 грн
100+154.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 INFN-S-A0001299349-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 155µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8130 pF @ 37.5 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+371.09 грн
50+183.19 грн
100+166.38 грн
500+128.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 infineonipp034ne7n3gdsen.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 28500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+391.79 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 infineonipp034ne7n3gdsen.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+495.90 грн
55+260.10 грн
100+234.64 грн
500+183.61 грн
1000+159.21 грн
2000+143.75 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 infineonipp034ne7n3gdsen.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+498.26 грн
50+261.33 грн
100+235.75 грн
500+184.48 грн
1000+159.96 грн
2000+144.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.